濺射沉積技術(shù)優(yōu)缺點

2021/10/16

濺射沉積技術(shù)的主要優(yōu)缺點

優(yōu)點（與蒸發(fā)技術(shù)相比）

1.       可濺射沉積任何能做成靶材的材料，特別是高熔點材料（如石墨.Ti.Ta.W.Mo等）；

2.       由于沉積原子能力較高，薄膜組織均勻致密，與基片的結(jié)合力較高；

3.       制備合金薄膜時，成分控制容易保證；

4.       利用反應(yīng)濺射技術(shù)，容易實現(xiàn)化合物薄膜沉積；

5.       薄膜的物相成分、梯度、膜厚控制精準，工藝重復(fù)性好；

6.       沉積原子能量較高，還可以改善薄膜對復(fù)雜形狀表面的覆蓋能力，降低薄膜的表面粗糙度.

主要缺點

1.       沉積速度不高；

2.       等離子體對基片存在輻射、轟擊作用，不但可引起基片升溫，而且可能形成內(nèi)部缺陷.