蒸鍍工藝中的TS和SD

2021/12/28

如圖所示，是OLED蒸鍍的概念圖。較上面是玻璃基板，再由殷鋼(Invar Steel,即鐵鎳合金）制成的FMM(Fine Metal Mask,即高精細(xì)掩模版）蓋住玻璃，然后一起通過磁鐵吸附在上基臺上。蒸鍍源內(nèi)放置有機(jī)材料，通過電阻絲加熱或電子束加熱的方式使材料蒸發(fā)，再通過FMM進(jìn)入到規(guī)定的像素開口區(qū)。這里的TS(Target-Source Distance)就是指蒸鍍源到FMM目標(biāo)的距離。

TS距離一般在400～800 mm不等。如果是同樣的點(diǎn)蒸鍍源和同樣的蒸鍍角，TS距離較小時，材料利用率高，PPI時較小，但成膜均一性較差，且SD(Shadow Distance,即陰影距離）較大；而TS距離較大時：成膜均一性會變好，SD會變小，但材料利用率較低，PPI較大。