靶中毒的解決辦法

2021/12/04

（1）采用中頻電源或射頻電源。

（2）采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。

（3）采用孿生靶。

（4）控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。

 靶表面金屬原子濺射比較容易，當(dāng)把表面變?yōu)榻饘傺趸镌贋R射就不容易。一般需要射頻濺射。
離子轟擊使靶表面金屬原子變得非?；顫?，加上靶溫升高，使靶表面反應(yīng)速率大大增加。這時(shí)靶面同時(shí)進(jìn)行著濺射和反應(yīng)生成化合物兩種過程。如果濺射速率大于化合物生成率，靶就處于金屬濺射態(tài)；反之，反應(yīng)氣體壓強(qiáng)增加或金屬濺射速率減少，靶就可能突然發(fā)生化合物形成速率超過濺射速率而停止濺射。
為了減輕靶中毒現(xiàn)象，技術(shù)人員常用以下方法解決：（1）將反應(yīng)氣體和濺射氣體分別送到基片和靶附近，以形成壓強(qiáng)梯度；（2）提高排氣速率；（3）氣體脈沖導(dǎo)入；（4）等離子體監(jiān)視等。